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真空灭弧室是真空断路器的关键部件，可以说是真空灭弧室的不断发展，才提高了真空断路器的技术水平。从真空灭弧室在我国发展以来，总共有五个版本。
第一代、CuBi系合金触头，φ145 mm玻璃外壳，阿基米德螺旋槽横磁电极结构，额定电压12 kV，额定电流1 250 A，额定短路开断电流20 kA。
第二代、引进西门子的3AF系列真空灭弧室。CuCr50合金杯状触头，陶瓷外壳，杯状横磁电极结构，额定电流2 500～3 150 A，额定短路开断电流31.5～40 kA。
第三代、自行开发的真空灭弧室。CuCr50触头材料，屏蔽罩内置，φ88～125 mm陶瓷绝缘外壳，杯状纵磁电极结构。额定电流3 150 A，额定短路开断电流40 kA。
第四代、真空灭弧室。以一次封排技术为代表，整体质量有了很大提高，开发出12 kV、24 kV和40.5 kV各种真空灭弧室。真空灭弧室工艺从排气台式工艺发展到一次封排工艺以至完全一次封排工艺，工艺过程变得简单，不仅提高了数量而且提高了质量。
第五代、固封极柱真空灭弧室。将真空灭弧室通过自动压力凝胶工艺包封在环氧树脂壳体内，形成固封极柱，避免了外力和外界环境对真空灭弧室及其他导电件的影响，增强了外绝缘强度，大大减少了装配工作量，并使之真空断路器小型化。真空灭弧室的外绝缘经历了空气绝缘→复合绝缘→固封绝缘。
由以上可见，真空灭弧室技术的进步反映在触头的材质上、纵横磁场的形成上、制造工艺的改进上以及外绝缘的改变上。
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